codice articolo del costruttore | MRF327 |
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Numero di parte futuro | FT-MRF327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 33V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 80W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 9A |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 316-01 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 316-01, STYLE 1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRF327-FT |
NE856M02-AZ
CEL
NESG250134-T1-AZ
CEL
NESG260234-T1-AZ
CEL
NESG270034-T1-AZ
CEL
AT-32032-BLKG
Broadcom Limited
AT-32032-TR1
Broadcom Limited
AT-32032-TR1G
Broadcom Limited
AT-32032-TR2G
Broadcom Limited
AT-41532-BLKG
Broadcom Limited
AT-41532-TR1
Broadcom Limited
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
XC2S100-6FG256C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25CF672C6N
Intel
5SGXEA5K2F40I3N
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40B956C5
Intel