codice articolo del costruttore | MR852G |
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Numero di parte futuro | FT-MR852G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR852G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR852G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR852G-FT |
UPS5817/TR7
Microsemi Corporation
UPS5817E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS5819/TR13
Microsemi Corporation
UPS5819/TR7
Microsemi Corporation
UPS5819E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS615/TR13
Microsemi Corporation
UPS6150/TR13
Microsemi Corporation
UPS6150E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS615E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS760/TR13
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel