casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UPS5819E3/TR13
codice articolo del costruttore | UPS5819E3/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-UPS5819E3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPS5819E3/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite 1 (DO216-AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPS5819E3/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPS5819E3/TR13-FT |
MBR1045G
ON Semiconductor
MBR10100G
ON Semiconductor
MUR880EG
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BYW80-200G
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MUR860G
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XC7A100T-2FTG256C
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XC6SLX100-3FGG484I
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A3P030-1VQG100I
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AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel