casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MP10005G-G
codice articolo del costruttore | MP10005G-G |
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Numero di parte futuro | FT-MP10005G-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MP10005G-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, MP-8 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MP8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP10005G-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MP10005G-G-FT |
GBJ2502
Diodes Incorporated
GBJ2504
Diodes Incorporated
GBJ2506
Diodes Incorporated
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
Diodes Incorporated
GBJ601
Diodes Incorporated
GBJ602
Diodes Incorporated
GBJ604
Diodes Incorporated
GBJ606
Diodes Incorporated
GBJ610
Diodes Incorporated
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation