codice articolo del costruttore | GBJ610 |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ610 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ610 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ610 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ610-FT |
KBP208G
Diodes Incorporated
KBP08G
Diodes Incorporated
KBP10G
Diodes Incorporated
KBP01G
Diodes Incorporated
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
GBU608
Diodes Incorporated
GBU802
Diodes Incorporated
GBU1004
Diodes Incorporated
GBU410
Diodes Incorporated
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel