casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX1125231006J
codice articolo del costruttore | MOX1125231006J |
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Numero di parte futuro | FT-MOX1125231006J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Mini-Mox |
MOX1125231006J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1.5W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage |
Coefficiente di temperatura | 25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 220°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.165" Dia x 1.270" L (4.19mm x 32.26mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX1125231006J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX1125231006J-FT |
OA100KE
Ohmite
MOX97021004FVE
Ohmite
MOX97022505FTE
Ohmite
MOX97025004FVE
Ohmite
MOX97021005FVE
Ohmite
MOX96021006FVE
Ohmite
MOX96021007FTE
Ohmite
MOX96025005FVE
Ohmite
MOX96021005FVE
Ohmite
MOX95021005FVE
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel