casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX96021006FVE
codice articolo del costruttore | MOX96021006FVE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX96021006FVE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Super-Mox |
MOX96021006FVE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 16W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | High Voltage, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.335" Dia x 4.803" L (8.50mm x 122.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX96021006FVE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX96021006FVE-FT |
OD102JE
Ohmite
OD102J
Ohmite
OD101JE
Ohmite
OD101J
Ohmite
OD100JE
Ohmite
OD100J
Ohmite
OA821K
Ohmite
OA821KE
Ohmite
OA820K
Ohmite
OA820KE
Ohmite
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel