casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MOX94021006FVE
codice articolo del costruttore | MOX94021006FVE |
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Numero di parte futuro | FT-MOX94021006FVE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Super-Mox |
MOX94021006FVE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | High Voltage, Moisture Resistant, Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia x 3.031" L (8.00mm x 77.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MOX94021006FVE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MOX94021006FVE-FT |
OA820KE
Ohmite
OA684KE
Ohmite
OA681K
Ohmite
OA681KE
Ohmite
OA56GK
Ohmite
OA56GKE
Ohmite
OA564K
Ohmite
OA564KE
Ohmite
OA560K
Ohmite
OA560KE
Ohmite
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
XC7A15T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation