casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMST5401-TP
codice articolo del costruttore | MMST5401-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MMST5401-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMST5401-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMST5401-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMST5401-TP-FT |
SMBTA42E6327HTSA1
Infineon Technologies
SMBTA56E6327HTSA1
Infineon Technologies
SMBTA56E6433HTMA1
Infineon Technologies
SMBTA64E6327
Infineon Technologies
NSS30071MR6T1G
ON Semiconductor
PBSS305PD,115
Nexperia USA Inc.
PBSS8110D,115
Nexperia USA Inc.
PBSS302PD,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350D,115
Nexperia USA Inc.
BC817SUE6327HTSA1
Infineon Technologies