casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PBSS8110D,115
codice articolo del costruttore | PBSS8110D,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS8110D,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS8110D,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V |
Potenza - Max | 700mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS8110D,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS8110D,115-FT |
KST5550MTF
ON Semiconductor
KST5551MTF
ON Semiconductor
KST55MTF
ON Semiconductor
KST56MTF
ON Semiconductor
KST63MTF
ON Semiconductor
KST64MTF
ON Semiconductor
KST93MTF
ON Semiconductor
MMBT200A
ON Semiconductor
MMBT2222
ON Semiconductor
MMBT2222AK
ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel