casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / MMIX1X200N60B3H1
codice articolo del costruttore | MMIX1X200N60B3H1 |
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Numero di parte futuro | FT-MMIX1X200N60B3H1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GenX3™, XPT™ |
MMIX1X200N60B3H1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 175A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 1000A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 100A |
Potenza - Max | 520W |
Cambiare energia | 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 315nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 48ns/160ns |
Condizione di test | 360V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-PowerSMD, 21 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-SMPD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMIX1X200N60B3H1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMIX1X200N60B3H1-FT |
IXBT20N360HV
IXYS
IXBT20N300HV
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IXBT12N300
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IXGT2N250
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IXBT10N170
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IXBT12N300HV
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IXBT24N170
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IXBT2N250
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IXBT42N170A
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IXBT42N300HV
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