casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / MMDT3904V-7
codice articolo del costruttore | MMDT3904V-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMDT3904V-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMDT3904V-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMDT3904V-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMDT3904V-7-FT |
BC847SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCM856SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC846SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC846PNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC 846PN H6727
Infineon Technologies
BC 856S E6433
Infineon Technologies
BC846PNE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC846SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC846SE6433BTMA1
Infineon Technologies
BC846SH6433XTMA1
Infineon Technologies
A3PN010-QNG48
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-6BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C4
Intel
5AGXMA1D4F27C4N
Intel
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4S40G5H40I2N
Intel
A3P250L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N4F45I3SGES
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel