casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ5264B-G3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ5264B-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ5264B-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5264B-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 60V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 225mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 170 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 46V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5264B-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ5264B-G3-08-FT |
MMBZ5255C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5255C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5256C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation