casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / MMBZ5256B-HE3-08
codice articolo del costruttore | MMBZ5256B-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBZ5256B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBZ5256B-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 225mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 49 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 23V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBZ5256B-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBZ5256B-HE3-08-FT |
MMBZ5247C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5247C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5247C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBZ5248C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel