casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA43LT1G
codice articolo del costruttore | MMBTA43LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTA43LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBTA43LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA43LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTA43LT1G-FT |
NSV40201LT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT589LT1G
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SMMBTA06LT3G
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ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
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5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
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5AGXBB3D4F35I5G
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