casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2369LT3G
codice articolo del costruttore | MMBT2369LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2369LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2369LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 400nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 350mV |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2369LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2369LT3G-FT |
MMBT5551LT3G
ON Semiconductor
NSS1C200LT1G
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