casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5551LT3G
codice articolo del costruttore | MMBT5551LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT5551LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT5551LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5551LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT5551LT3G-FT |
NSVBC817-16LT1G
ON Semiconductor
NSVBC858BLT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT5087LT1G
ON Semiconductor
NSVMMBT6429LT1G
ON Semiconductor
SBC807-16LT1G
ON Semiconductor
SMMBT4403LT1G
ON Semiconductor
SBC857ALT1G
ON Semiconductor
MMBT5550LT3G
ON Semiconductor
BC858CLT3G
ON Semiconductor
BC857CLT3G
ON Semiconductor
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel