casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NSVMMBT6429LT1G
codice articolo del costruttore | NSVMMBT6429LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMMBT6429LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVMMBT6429LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 100µA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 700MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMMBT6429LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMMBT6429LT1G-FT |
BUH150
ON Semiconductor
BUH150G
ON Semiconductor
BUH50
ON Semiconductor
BUH50G
ON Semiconductor
BUL146
ON Semiconductor
BUL146G
ON Semiconductor
BUL44
ON Semiconductor
BUL44G
ON Semiconductor
BUL45
ON Semiconductor
BUL45D2
ON Semiconductor
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC6VCX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
Intel
5SGXMA4K3F40I4N
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EPF10K10AQC208-3N
Intel