casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT5551-TP
codice articolo del costruttore | MMBT5551-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT5551-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT5551-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT5551-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT5551-TP-FT |
MJF15030
ON Semiconductor
MJF15031
ON Semiconductor
MJF18004
ON Semiconductor
MJF18008
ON Semiconductor
MJF2955
ON Semiconductor
MJF3055
ON Semiconductor
MJF31C
ON Semiconductor
MJF32C
ON Semiconductor
MJF44H11
ON Semiconductor
MJF45H11
ON Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel