casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJF45H11
codice articolo del costruttore | MJF45H11 |
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Numero di parte futuro | FT-MJF45H11 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJF45H11 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJF45H11 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJF45H11-FT |
2SB1481(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1495,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SB1495,Q(M
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2SB1548AP
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2SB1623AP
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2SC3943
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A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
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10M25DAF484I6G
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5SGXEA3K2F40C3
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5SGXEB6R3F43I3LN
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XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
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EPF10K50RI240-4
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