casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBT2907AWT1G
codice articolo del costruttore | MMBT2907AWT1G |
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Numero di parte futuro | FT-MMBT2907AWT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBT2907AWT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2907AWT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBT2907AWT1G-FT |
NST3904F3T5G
ON Semiconductor
NST847BF3T5G
ON Semiconductor
NST848BF3T5G
ON Semiconductor
NST857BF3T5G
ON Semiconductor
NST846BF3T5G
ON Semiconductor
NST856BF3T5G
ON Semiconductor
DSCQ00100L
Panasonic Electronic Components
2SC6096-TD-H
ON Semiconductor
PCP1103-TD-H
ON Semiconductor
2SB1121T-TD-E
ON Semiconductor
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel