casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NST857BF3T5G
codice articolo del costruttore | NST857BF3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-NST857BF3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST857BF3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 290mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-1123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-1123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST857BF3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST857BF3T5G-FT |
BC817-16LT3
ON Semiconductor
BC817-40LT1
ON Semiconductor
BC817-40LT3
ON Semiconductor
BC818-40LT1
ON Semiconductor
BC847BLT3
ON Semiconductor
BC849BLT1
ON Semiconductor
BC849BLT3
ON Semiconductor
BC849BLT3G
ON Semiconductor
BC849CLT1
ON Semiconductor
BC850BLT1
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation