casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBAS70-04LT1G
codice articolo del costruttore | SBAS70-04LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SBAS70-04LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SBAS70-04LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBAS70-04LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBAS70-04LT1G-FT |
MBR2535CTG
ON Semiconductor
MBR20H150CTG
ON Semiconductor
NTST30120CTG
ON Semiconductor
MBR16100CTG
ON Semiconductor
MBR41H100CTG
ON Semiconductor
MBR2030CTLG
ON Semiconductor
NTST60100CTG
ON Semiconductor
MBR30H30CTG
ON Semiconductor
MURH860CTG
ON Semiconductor
MBR30L60CTG
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel