casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD7000-HE3-18
codice articolo del costruttore | MMBD7000-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD7000-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBD7000-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD7000-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD7000-HE3-18-FT |
BAV23C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-05-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-06-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel