casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GSD2004C-HE3-08
codice articolo del costruttore | GSD2004C-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GSD2004C-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSD2004C-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 240V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 225mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 240V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSD2004C-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GSD2004C-HE3-08-FT |
VS-MBRB20100CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTGTLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTGTRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB20100CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel