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codice articolo del costruttore | MLP2016V2R2MT0S1 |
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Numero di parte futuro | FT-MLP2016V2R2MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2016V2R2MT0S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 212.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016V2R2MT0S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLP2016V2R2MT0S1-FT |
MLZ2012N150LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
MLZ2012P220WT
TDK Corporation
MLZ2012A1R0WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A1R5WTD25
TDK Corporation
MLZ2012A2R2WTD25
TDK Corporation
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation