casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / MLP2016S1R0MT0S1
codice articolo del costruttore | MLP2016S1R0MT0S1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MLP2016S1R0MT0S1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLP |
MLP2016S1R0MT0S1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLP2016S1R0MT0S1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLP2016S1R0MT0S1-FT |
MLZ2012DR47DT000
TDK Corporation
MLZ2012M150WTD25
TDK Corporation
MLZ2012M330WTD25
TDK Corporation
MLZ2012M6R8WTD25
TDK Corporation
MLZ2012N150LTD25
TDK Corporation
MLZ2012N1R5LT000
TDK Corporation
MLZ2012DR47DTD25
TDK Corporation
MLZ2012M1R5HT
TDK Corporation
MLZ2012M3R3HT
TDK Corporation
MLZ2012M6R8HT
TDK Corporation
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel