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codice articolo del costruttore | MLF2012DR10JT000 |
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Numero di parte futuro | FT-MLF2012DR10JT000 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MLF |
MLF2012DR10JT000 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Frequenza - Autorisonante | 400MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLF2012DR10JT000 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MLF2012DR10JT000-FT |
MLF2012K560M
TDK Corporation
MLF2012A1R2M
TDK Corporation
MLF2012A2R7M
TDK Corporation
MLF2012C150KT000
TDK Corporation
MLF2012C150M
TDK Corporation
MLF2012C180KT000
TDK Corporation
MLF2012C330MT000
TDK Corporation
MLF2012C330MTD25
TDK Corporation
MLF2012C680M
TDK Corporation
MLF2012C820MT000
TDK Corporation
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel