casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1481(TOJS,Q,M)
codice articolo del costruttore | 2SB1481(TOJS,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1481(TOJS,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1481(TOJS,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1481(TOJS,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1481(TOJS,Q,M)-FT |
2SB1215S-TL-H
ON Semiconductor
2SB1215T-TL-E
ON Semiconductor
2SB1215T-TL-H
ON Semiconductor
2SB1216S-TL-H
ON Semiconductor
2SB1216T-TL-E
ON Semiconductor
2SB1216T-TL-H
ON Semiconductor
2SC3074-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3074-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4134T-TL-E
ON Semiconductor
2SC5706-P-TL-E
ON Semiconductor
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V80-4FGG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
APA600-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I2LN
Intel
XC2VP20-5FFG896I
Xilinx Inc.
EP3CLS70F780C8N
Intel
EPF6016QC208-3N
Intel
EP1SGX40GF1020C7
Intel