casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD45H11T4G
codice articolo del costruttore | MJD45H11T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD45H11T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD45H11T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 90MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD45H11T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD45H11T4G-FT |
BC807-25WT1G
ON Semiconductor
MMBT3904WT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT3G
ON Semiconductor
BC847CWT3G
ON Semiconductor
SBC847CWT3G
ON Semiconductor
BC847CWT1G
ON Semiconductor
SMSD1819A-RT1G
ON Semiconductor
MMBTA56WT1G
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1G
ON Semiconductor
SBC856BWT1G
ON Semiconductor
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel