casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD32CTM
codice articolo del costruttore | MJD32CTM |
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Numero di parte futuro | FT-MJD32CTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD32CTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 1.56W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD32CTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD32CTM-FT |
KSA1013YBU
ON Semiconductor
KSA916YTA
ON Semiconductor
KSA1013OBU
ON Semiconductor
FPN630
ON Semiconductor
FPN630A
ON Semiconductor
FPN660
ON Semiconductor
FPN660A
ON Semiconductor
KSA1013RBU
ON Semiconductor
KSA1281OBU
ON Semiconductor
KSA1281YBU
ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel