casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD31CRL
codice articolo del costruttore | MJD31CRL |
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Numero di parte futuro | FT-MJD31CRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD31CRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 1.56W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD31CRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD31CRL-FT |
NJVMJD44H11T4G-VF01
ON Semiconductor
NJVMJD148T4G-VF01
ON Semiconductor
MJD210RLG
ON Semiconductor
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor
MJD42CT4G
ON Semiconductor
MJD3055T4G
ON Semiconductor
MJD32CT4G
ON Semiconductor
MJD127T4G
ON Semiconductor
MJD50T4G
ON Semiconductor
NJD2873T4G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel