casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD3055TF
codice articolo del costruttore | MJD3055TF |
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Numero di parte futuro | FT-MJD3055TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD3055TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 2MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD3055TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD3055TF-FT |
BCX5516E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX55E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX56E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6810E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6816E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6825E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX6910E6327HTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel