casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD200T5G
codice articolo del costruttore | MJD200T5G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD200T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD200T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 1.4W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD200T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD200T5G-FT |
MJD47G
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MJD50G
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MJD243G
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8282ALC84-4N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
Intel