casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD117T4
codice articolo del costruttore | MJD117T4 |
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Numero di parte futuro | FT-MJD117T4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD117T4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD117T4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD117T4-FT |
BD545C-S
Bourns Inc.
BD546-S
Bourns Inc.
BD546A-S
Bourns Inc.
BD546B-S
Bourns Inc.
BD546C-S
Bourns Inc.
BD708
STMicroelectronics
BD711
STMicroelectronics
BD745-S
Bourns Inc.
BD745A-S
Bourns Inc.
BD745B-S
Bourns Inc.
AGL030V2-QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
Intel
EP2AGX95EF35I3N
Intel
EP3C55F780C8N
Intel
EP20K200EQC240-3N
Intel