codice articolo del costruttore | BD708 |
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Numero di parte futuro | FT-BD708 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD708 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 75W |
Frequenza - Transizione | 3MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD708 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD708-FT |
TIP120
STMicroelectronics
BUL58D
STMicroelectronics
BUL705
STMicroelectronics
TIP102
STMicroelectronics
D44H8
STMicroelectronics
TIP32C
STMicroelectronics
BUL216
STMicroelectronics
TIP115
STMicroelectronics
TIP105
STMicroelectronics
TIP112
STMicroelectronics
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel