casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD112RLG
codice articolo del costruttore | MJD112RLG |
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Numero di parte futuro | FT-MJD112RLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD112RLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD112RLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD112RLG-FT |
BC847CWT3G
ON Semiconductor
SBC847CWT3G
ON Semiconductor
BC847CWT1G
ON Semiconductor
SMSD1819A-RT1G
ON Semiconductor
MMBTA56WT1G
ON Semiconductor
MMBT2907AWT1G
ON Semiconductor
SBC856BWT1G
ON Semiconductor
MMBT3906WT1G
ON Semiconductor
MSD42WT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT3G
ON Semiconductor
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel