casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MII150-12A4
codice articolo del costruttore | MII150-12A4 |
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Numero di parte futuro | FT-MII150-12A4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MII150-12A4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 180A |
Potenza - Max | 760W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 7.5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y3-DCB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-DCB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII150-12A4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MII150-12A4-FT |
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120T1G
Microsemi Corporation
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation