casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MII145-12A3
codice articolo del costruttore | MII145-12A3 |
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Numero di parte futuro | FT-MII145-12A3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MII145-12A3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Potenza - Max | 700W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 6mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y4-M5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y4-M5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MII145-12A3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MII145-12A3-FT |
APTGT300H60G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation
APTGT300TL65G
Microsemi Corporation
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation