casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG600Q2YS60A
codice articolo del costruttore | MG600Q2YS60A |
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Numero di parte futuro | FT-MG600Q2YS60A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
MG600Q2YS60A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600A |
Potenza - Max | 4300W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 41nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG600Q2YS60A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG600Q2YS60A-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-4N
Intel
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL050T-VFG400I
Microsemi Corporation
10AX027E2F27I2SG
Intel
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel
EP20K100CQ208C9
Intel