casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-ENQ030L120S
codice articolo del costruttore | VS-ENQ030L120S |
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Numero di parte futuro | FT-VS-ENQ030L120S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-ENQ030L120S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Level Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 61A |
Potenza - Max | 216W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 30A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 230µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.34nF @ 30V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | EMIPAK-1B |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMIPAK-1B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ENQ030L120S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-ENQ030L120S-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400-4FGG320C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-2QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
5AGXFB7H4F35I5
Intel