casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / ME501610
codice articolo del costruttore | ME501610 |
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Numero di parte futuro | FT-ME501610 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ME501610 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.6kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10mA @ 1600V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ME501610 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ME501610-FT |
GBJ601TB
SMC Diode Solutions
GBJ602TB
SMC Diode Solutions
GBJ604TB
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GBJ608TB
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GBU406GTB
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GBU610TB
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GBU406TB
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GBU1510TB
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GBU810GTB
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XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel