casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU406TB
codice articolo del costruttore | GBU406TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU406TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU406TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU406TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU406TB-FT |
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-3N
Intel
EP20K160EQC240-3
Intel