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codice articolo del costruttore | MDMA110P1200TG |
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Numero di parte futuro | FT-MDMA110P1200TG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDMA110P1200TG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 110A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.18V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-240AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-240AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDMA110P1200TG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDMA110P1200TG-FT |
MBRB20H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel