casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB20H60CTHE3/45
codice articolo del costruttore | MBRB20H60CTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB20H60CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB20H60CTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H60CTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB20H60CTHE3/45-FT |
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6673
Microsemi Corporation
JANTXV1N6674
Microsemi Corporation
JANTXV1N6674R
Microsemi Corporation
JANTXV1N7039CCT1
Microsemi Corporation
LQA32B300C
Power Integrations
LX7710MDWC-Q
Microsemi Corporation
LX7710MDWC-V
Microsemi Corporation
M50100CC1000
Sensata-Crydom
M50100CC1200
Sensata-Crydom
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel