casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDK950-18N1W
codice articolo del costruttore | MDK950-18N1W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MDK950-18N1W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDK950-18N1W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 950A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 18µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1800V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDK950-18N1W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDK950-18N1W-FT |
MBRB20H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2535CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel