casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MDK600-12N1
codice articolo del costruttore | MDK600-12N1 |
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Numero di parte futuro | FT-MDK600-12N1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDK600-12N1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 883A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 18µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDK600-12N1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDK600-12N1-FT |
MBRB15H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB15H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2035CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel