casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRB2035CTHE3_A/P
codice articolo del costruttore | MBRB2035CTHE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-MBRB2035CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB2035CTHE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB2035CTHE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRB2035CTHE3_A/P-FT |
JANTX1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTX1N6674R
Microsemi Corporation
JANTX1N7037CCU1
Microsemi Corporation
JANTX1N7039CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UBCA
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CAT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660CCT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660DT1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6660R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6673
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel