casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MDI200-12A4
codice articolo del costruttore | MDI200-12A4 |
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Numero di parte futuro | FT-MDI200-12A4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDI200-12A4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 270A |
Potenza - Max | 1130W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y3-DCB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-DCB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDI200-12A4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDI200-12A4-FT |
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120G
Microsemi Corporation
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60G
Microsemi Corporation
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation
APTGT300DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGT300DA60G
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
XCKU040-3FBVA900E
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4N
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C7N
Intel