casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MDI200-12A4
codice articolo del costruttore | MDI200-12A4 |
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Numero di parte futuro | FT-MDI200-12A4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MDI200-12A4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 270A |
Potenza - Max | 1130W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Y3-DCB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Y3-DCB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDI200-12A4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MDI200-12A4-FT |
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120G
Microsemi Corporation
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60G
Microsemi Corporation
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300DA170G
Microsemi Corporation
APTGT300DA60D3G
Microsemi Corporation
APTGT300DA60G
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel