casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MCH6351-TL-W
codice articolo del costruttore | MCH6351-TL-W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MCH6351-TL-W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MCH6351-TL-W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MCPH |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCH6351-TL-W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MCH6351-TL-W-FT |
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor
NTMS4873NFR2G
ON Semiconductor
NTMS4917NR2G
ON Semiconductor
NTMS4935NR2G
ON Semiconductor
NTMS4N01R2G
ON Semiconductor
NTMS4P01R2
ON Semiconductor
NTMS5835NLR2G
ON Semiconductor
NTMS5838NLR2G
ON Semiconductor
NTMS5P02R2SG
ON Semiconductor
NTMS7N03R2
ON Semiconductor
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel